Micron ofrece memoria DDR5 de alta velocidad de 7200 MT/s utilizando tecnología 1β

Micron Technology, Inc., anunció que ha ampliado su tecnología de nodo de proceso 1β (1-beta) líder en la industria con la introducción de memoria DDR5 de 16 Gb. Con una funcionalidad demostrada en el sistema a velocidades de hasta 7200 MT/s, la DRAM 1β DDR5 de Micron ahora se envía a todos los clientes de centros de datos y PC. La memoria DDR5 basada en 1β de Micron con tecnología avanzada de dispositivo CMOS de alta k, reloj de 4 fases y sincronización de reloj proporciona hasta un 50% de mejora en el rendimiento y un 33% de mejora en el rendimiento por vatio con respecto a la generación anterior.
A medida que el número de núcleos de CPU aumenta para satisfacer las demandas de las cargas de trabajo de los centros de datos, la necesidad de mayor ancho de banda y capacidades de memoria crece significativamente para superar el desafío del «muro de memoria» y al mismo tiempo optimizar el costo total de propiedad para los clientes. La DRAM 1β DDR5 de Micron permite que las capacidades computacionales se escalen con un mayor rendimiento, permitiendo aplicaciones como entrenamiento e inferencia de inteligencia artificial (IA), IA generativa, análisis de datos y bases de datos en memoria (IMDB) en centros de datos y plataformas de clientes. La nueva línea de productos 1β DDR5 DRAM ofrece densidades de módulos actuales en velocidades que van desde 4800 MT/s hasta 7200 MT/s para uso en centros de datos y aplicaciones de clientes.

«La fabricación en gran volumen y la disponibilidad de 1β DDR5 DRAM para plataformas de clientes y centros de datos marcan un hito importante en la industria. Nuestra colaboración con nuestros socios y clientes del ecosistema impulsará una adopción más rápida de estas ofertas de memoria de mayor rendimiento», afirmó Brian Callaway. , vicepresidente corporativo del Core Compute Design Engineering Group de Micron.

La tecnología 1β de Micron permite a Micron ofrecer una amplia cartera de soluciones basadas en memoria, incluidas DDR5 RDIMM y MCRDIMM que utilizan una matriz DRAM de 16 Gb, 24 Gb y 32 Gb, LPDDR5X que utiliza una matriz DRAM de 16 Gb y 24 Gb, HBM3E y GDDR7. Las nuevas ofertas de memoria Micron DDR5 de 16 Gb estarán disponibles a través de ventas directas y socios de canal.
Citas de la industria: «ASUS es líder en portátiles de alto rendimiento para aplicaciones de consumo y juegos. La transición del subsistema de memoria a DDR5 es un área de enfoque clave para ASUS», dijo YC Chen, vicepresidente asociado de ASUS. «Estamos entusiasmados de lanzar nuestras computadoras portátiles ASUS y ROG con 1β DDR5 de Micron para brindar la experiencia de usuario superior que nuestros clientes exigen».
«Los procesadores nativos en la nube de Ampere, combinados con el líder 1β DDR5 de Micron, brindan las mejores soluciones informáticas de su clase para ofrecer el rendimiento, la escalabilidad y la eficiencia energética que requieren los hiperescaladores», afirmó Jeff Wittich, director de productos de Ampere Computing. «La integración temprana de 1β DDR5 de Micron a velocidades de 7200 MT/s con nuestras plataformas AmpereOne continuará impulsando avances en inteligencia artificial, aprendizaje automático y todas las aplicaciones informáticas de alto rendimiento».
«Estamos entusiasmados de asociarnos con Micron para impulsar plataformas de próxima generación optimizadas para aplicaciones específicas con nuestras soluciones de sistemas IP DDR5, LPDDR5X, GDDR6 y HBM3 líderes en la industria y la cartera de memoria de clase mundial de Micron», dijo Boyd Phelps, vicepresidente y director general. gerente del Grupo Cadence IP. «Al aprovechar la memoria avanzada 1β DDR5 de Micron, podemos evaluar y calificar nuestra IP DDR5 de alto rendimiento con velocidades de hasta 7200 MT/s». Fuente: Micron